[17a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[17a-C42-7] 高アスペクト比Eu添加GaNコアシェルナノワイヤの選択OMVPE成長と発光特性評価

〇(M2)吉田 遼¹、舘林 潤^1,2、羽田 頼生¹、坂部 士昂¹、市川 修平^1,3、中島 義賢⁴、芦田 昌明⁵、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大超高圧電顕センター、4.阪大INSD、5.阪大院基礎工)

キーワード：

ナノワイヤ、発光ダイオード、窒化ガリウム

超スマート社会実現に向けた次世代ディスプレイ技術として、有機金属気相エピタキシャル法によるGaN:Eu/GaNナノワイヤ構造の成長を行い、その詳細な光学・構造特性を評価した。従来よりも高発光効率が可能なナノワイヤLEDを目指し、コアシェル構造かつ高アスペクト比な素子の成長を行った。また単一ナノワイヤ中のEuの発光分布を観察するため新規手法に取り組み、Euイオンに起因する発光を観測した。