[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-23] レジストを固体材料として用いたGe(110)上へのグラフェン成長

〇(M1)武田 怜士¹、前田 文彦¹ (1.福工大工)

キーワード：

グラフェン、レジスト、ゲルマニウム

化学気相成長（CVD）法は、ウエハ全体に均一なグラフェンを形成するにはその流れを精密に制御することが不可欠である。そこで、レジスト等の有機高分子薄膜を形成後加熱によってグラフェンの成長が試みる。金属単結晶の入手は容易ではないため、金属に比べて安価で大面積な基板が入手できるGeウエハに注目した。実験の結果、Ge基板に固体材料を用いてグラフェンを成長できることを初めて示した。