[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-44] 原子層堆積法による厚膜 BN の Si 基板への直接成長

〇宇佐美 潤¹、岡本 有貴¹、藤井 健志¹ (1.産総研)

キーワード：

窒化ホウ素

近年、六方晶窒化ホウ素（BN）薄膜は2次元材料の基材として使用され、その絶縁性や熱伝導性により、Siベースのトレンチ構造デバイスやMEMSへの応用が期待されている。そこで、カバレッジや層数制御性の高い原子層堆積法（ALD）が有用な成膜方法とされる。今回、ALDを用い、BCl3とNH3をプリカーサーとして800°Cから1150°Cで成膜し、膜質をIRおよびTEMで評価した結果、20nm以上の連続性の高い層状BN膜の形成が確認された。