[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-47] MOCVD法で成膜した高配向MoS₂単層膜のSHG観測

〇(M1)鈴木 諒人¹、佐久間 芳樹²、池沢 道男¹ (1.筑波大物理、2.物材機構)

キーワード：

第二高調波発生、結晶方位、二硫化モリブデン

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)の将来のデバイス応用のために、大面積ウエハ上に結晶方位が完全に揃ったTMDC単層膜を得るための成膜技術が必要とされている。最近ではMOCVD法による高配向MoS₂単層膜が形成可能になってきた。配向性を評価する比較的簡便な手法として、光学顕微鏡下での第二高調波発生（SHG）観測が有望である。今回、我々は高配向MoS₂単層膜を含む、異なる条件で成膜されたMoS₂単層膜についてSHG測定を行い、結果を比較した。