[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-55] Bi₂Te₃/CoFeBの逆スピンホール効果における界面層の影響

〇諸田 美砂子¹、畑山 祥吾¹、ジェバスワン ウイパコーン²、深田 直樹²、齊藤 雄太^1,3 (1.産総研、2.物材機構、3.東北大)

キーワード：

層状材料、スピントロニクス、強磁性共鳴

Te系層状物質は、強いスピン軌道相互作用をもち、高効率なスピン源として期待されている。これらの材料は、Teで終端された原子層が重なった特徴的な結晶構造を持ち、特殊な表面電子状態を示す。一方で、表面状態は磁気近接効果の影響を強く受けるため、界面構造制御が重要となる。本研究では、強磁性体CoFeBと層状材料Bi₂Te₃の間にTeを層間膜として挿入した積層試料を用いて、界面層とスピン注入および生成効率の関係を調査した。