[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-57] WSe₂ MOSFETにおける電極コンタクトへの絶縁性ポリマー層の挿入

〇(M1)直井 涼一郎¹、Durgadevi Elamaran¹、桐谷 乃輔¹ (1.東大院総合)

キーワード：

MOSFET

WSe₂は2次元半導体として注目を集めており、p型動作が期待されている。金属と半導体の接合界面には、ショットキーバリアが形成される。ショットキーバリアは、金属種に依存してバリア高さが変わると期待されるが、2次元半導体においては、フェルミレベルピニングが生じることで電極依存性が小さいことが知られている。本研究では、電極直下に絶縁性ポリマー層を挿入する手法を開拓し、MOSFETの極性制御に取り組んだ。