[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-62] TaO_x/TaS₂ヘテロ構造を用いたMoS₂浮遊ゲートFETの作製

〇(M1)佐橋 悠太朗¹、稲田 貢¹、佐藤 伸吾¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二次元物質、浮遊ゲートFET、TaS2

TaS₂をオゾン酸化することで表面に形成されたTaO_xをトンネル層、TaS₂を浮遊層、さらにMoS₂を半導体チャネルとして用いた浮遊ゲートFETの作製に成功したので報告する。