[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-63] VO_x/VSe₂ ヘテロ構造における抵抗変化メモリ動作の評価

〇(M2)中村 優太¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

抵抗変化メモリ、二次元材料、銀

コンピューティングインメモリへの応用が期待されている抵抗変化メモリ(ReRAM)は、動作電圧のばらつきが大きく、その低減が応用への課題となっている。そこで、我々は極薄自然酸化膜の形成が見込まれる 1T-VSe₂ を用い、低電圧かつ安定動作可能なReRAMの作製を試みている。これまでにはVO_x/VSe₂ ヘテロ構造に対して銀(Ag)を電極に用いることで、動作電圧のばらつきが小さいReRAM動作を実現している。本研究ではVO_x/VSe₂ ReRAMの保持特性や繰り返し耐性を評価した。