[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-7] 変動温度下における半導体型および金属型カーボンナノチューブの成長速度追跡

〇(M2)藤原 隆二¹、千足 昇平¹、丸山 茂夫¹、大塚 慶吾¹ (1.東大工)

キーワード：

カーボンナノチューブ、半導体材料、成長解析

半導体カーボンナノチューブ（CNT）は高キャリア移動度と短チャネル効果の抑制から次世代半導体材料として期待される。高純度半導体CNTを得るためには合成条件のCNT成長プロセスへの影響の理解が重要である。先行研究にて、合成温度が半導体CNT比率へ影響を及ぼすことが示されている。本研究では、合成温度を800-875℃で変化させ個々のCNTの成長速度を追跡し、半導体CNTと金属CNTにおける成長速度の温度依存性について議論する。