[17p-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

13:15 〜 13:30

[17p-B2-2] [110]方位でのCZ-Si単結晶育成における種子づけ時の熱ショック転位挙動の検討

〇藤 倫太郎¹、塚田 大喜¹、干川 岳志¹、斉藤 広幸²、松村 尚²、太子 敏則¹ (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

キーワード：

シリコン、転位