[17p-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

13:45 〜 14:00

[17p-B2-4] RTPウェーハにおける残留空孔の形態に関する研究

〇須藤 治生¹、岩城 浩也^1,2、早川 兼¹ (1.グローバルウェーハズジャパン、2.岡山県大院情報系工)

キーワード：

ダングリングボンド、空孔、RTP

RTPによってSiウェーハ中に残留する原子空孔の形態は明らかになっていない。今回、RTPで原子空孔を高濃度に残留させたSiウェーハについて、電子スピン共鳴法にてバルク部のSiダングリングボンド密度の変化を調査した。