[17p-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

14:00 〜 14:15

[17p-B2-5] RTPウェーハのBMD析出核 (VO_X) 構造に関する理論的研究

〇岩城 浩也^1,2、須藤 治生¹、早川 兼¹、神山 栄治¹、末岡 浩治³ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大情報工)

キーワード：

シリコン、空孔-酸素複合体、VO4

シリコン (Si) ウェーハの酸素析出物の密度は原子空孔（V）濃度の4乗に比例する。これより、Rapid Thermal Process (RTP) によって導入した空孔-酸素複合体（VO₄）が4個集まった4VO₄が酸素析出物の析出核と考えられる。この4VO₄の安定構造を提案した研究はなく具体的なモデルは不明である。そこで、第一原理計算を用いてVO₄が4個集まる際の結合エネルギーを算出し、4VO₄の安定構造を探索した。その結果、Vを2回対称に配置した4VO₄が最安定構造となった。