[17p-B3-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[17p-B3-10] (Hf, Zr)O₂バッファ層及びスピンコート法を用いた強誘電体薄膜の作製

〇片岡 莉咲¹、李 海寧¹、木島 健^1,2、山原 弘靖¹、田畑 仁¹、関 宗俊¹ (1.東大院工、2.(株)ガイアニクス)

キーワード：

強誘電体、強誘電性光起電力、シリコン集積化

本研究では、(Hf, Zr)O₂バッファ層とスピンコート法により、高品質な強誘電体薄膜の作製を試み特性を調べた。PbZr_0.52Ti_0.48O₃(PZT)薄膜を、SrRuO₃(100)/Pt(200)/Hf_0.25Zr_0.75O₂(110)/Si(100)基板上にスピンコート法で作製した。PZT薄膜は(001) 方向の配向が確認された。また、25 Vで残留分極2P_r = 48.9 μC/cm²が得られた。波長340 nmの光照射下におけるJ-V特性の測定では、ポーリングにより短絡電流密度に差が現れることが分かった。