2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.1 強誘電体薄膜

[17p-B3-1~18]6.1 強誘電体薄膜

2024年9月17日(火) 13:00 〜 17:45
B3 (展示ホールB)
川江 健(金沢大)、 譚 ゴオン(阪公大)
13:00 〜 13:15奨励賞エントリー

[17p-B3-1]水熱法で作製した自己分極(001)配向エピタキシャル(Bi,K)TiO3-PbTiO3膜の結晶構造及び強誘電特性

〇(D)胡 雨弦1、村下 太一1、岡本 一輝1、舟窪 浩1 (1.東工大物院)
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13:15 〜 13:30奨励賞エントリー

[17p-B3-2]急速分極凍結によって誘起されたシアン化ビニリデン(VDCN)/酢酸ビニル(VAc)共重合体の圧電特性

〇(M2)吉武 晃生1、児玉 秀和2、中嶋 宇史1 (1.東理大物工、2.小林理研)
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13:30 〜 13:45

[17p-B3-3]BiFe1-xMnxO3エピタキシャル膜の結晶構造と電気的特性

〇(B)藤原 輝羅1、Aphayvong Sengsavang1、高城 明佳1、高木 昂平1、藤林 世覇音1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
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13:45 〜 14:00

[17p-B3-4]SOI 基板上BiFe(1-x)MnxO3薄膜の作製と評価

〇(M1)高城 明佳1、Aphayvong Sengsavang1、藤林 世覇音1、藤原 輝羅1、村上 修一2、山根 秀勝2、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工、2.大阪技術研)
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14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[17p-B3-5]誘電率εTとεSの差を用いた圧電薄膜の電気機械結合係数k332の抽出

〇(M2)内田 拓希1,2、浴田 航平1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研技術研究所)
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14:15 〜 14:30奨励賞エントリー英語発表

[17p-B3-6]Non-destructive measurement of longitudinal piezoelectric properties for thin films

〇Aphayvong Sengsavang1, Meika Takagi1, Yohane Fujibayashi1, Kira Fujihara1, Shuichi Murakami2, Hidemasa Yamane2, Norifumi Fujimura1, Takeshi Yoshimura1 (1.Osaka Metro. Univ, 2.ORIST)
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14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-B3-7](100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O3膜における圧電応答の周波数依存性

〇(D)中畑 美紀1、岡本 一輝1、石濱 圭佑2、清水 荘雄3、小金澤 智之4、Rosantha Kumara4、仲谷 友孝4、池田 理4、坂田 修身4、山田 智明5,6、舟窪 浩1 (1.東工大、2.東大、3.NIMS、4.JASRI、5.名古屋大、6.東工大MDX)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[17p-B3-8]分極処理による強誘電体薄膜の焦電と電気熱量効果への効果

〇宇佐美 潤1、岡本 有貴1、井上 悠1、小林 健1、山田 浩之1 (1.産総研)
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15:15 〜 15:30

[17p-B3-9]強相関強誘電体YMnO3 薄膜の電子準位と光誘起電流

〇市川 颯大1、吉村 武1、藤村 紀文1 (1.大阪公立大工)
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15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[17p-B3-10](Hf, Zr)O2バッファ層及びスピンコート法を用いた強誘電体薄膜の作製

〇片岡 莉咲1、李 海寧1、木島 健1,2、山原 弘靖1、田畑 仁1、関 宗俊1 (1.東大院工、2.(株)ガイアニクス)
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15:45 〜 16:00

[17p-B3-11]強誘電体 BiFeO3薄膜上へのカーボンナノチューブ電極の作製

〇(M1)籠林 慶己1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、藤沢 浩訓1 (1.兵庫県大工)
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16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[17p-B3-12]エピタキシャルPbZrO3薄膜の分極ダイナミクスが電気光学特性に与える影響

〇近藤 真矢1、近藤 陽香1、山田 智明2、寺西 貴志1、岸本 昭1 (1.岡山大、2.名大)
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16:15 〜 16:30

[17p-B3-13]高信頼性FeRAM向けのMOCVD-PZTとスパッタPLZTの非対称二重層構造を備えた新規強誘電体キャパシタ

〇王 文生1、中村 亘1、恵下 隆1、中林 正明1、高井 一章1、末沢 健吉1、及川 光彬1、佐藤 のぞみ1、小澤 聡一郎1、永井 孝一1、三原 智1、彦坂 幸信1、齋藤 仁1 (1.富士通セミコンダクターメモリソリューション)
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16:30 〜 16:45

[17p-B3-14]水熱微粒子分散液を用いたチタン酸バリウム薄膜のインクジェット形成

〇山口 正樹1、中島 世龍1、山本 孝2 (1.芝浦工大、2.大阪公大)
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16:45 〜 17:00

[17p-B3-15]HAFeR技術開発の為の時間分解SNDM法

〇長 康雄1、山末 耕平2 (1.東北大未来科学、2.東北大通研)
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17:00 〜 17:15

[17p-B3-16]実用的強誘電体記録を目指したPZT大面積記録媒体の開発

〇長 康雄1、平永 良臣2 (1.東北大未来科学、2.東北大通研)
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17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[17p-B3-17](Ba,Sr)TiO3薄膜を用いた強誘電体トンネル接合素子の作製と
メモリシティブ特性の評価

〇(M1C)武藤 祐暉1、Xueyou Yuan1、吉野 正人1、長崎 正雅1、山田 智明1 (1.名大工)
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17:30 〜 17:45奨励賞エントリー注目講演

[17p-B3-18]Single-Crystalline PbTiO3-Based Ferroelectric Memristors for Synaptic Plasticity Emulation

〇(DC)李 海寧1、木島 健1,2、片岡 莉咲1、山原 弘靖1、田畑 仁1、関 宗俊1 (1.東大院工、2.（株）ガイア二クス)
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