[17p-B3-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[17p-B3-17] (Ba,Sr)TiO₃薄膜を用いた強誘電体トンネル接合素子の作製と
メモリシティブ特性の評価

〇(M1C)武藤 祐暉¹、Xueyou Yuan¹、吉野 正人¹、長崎 正雅¹、山田 智明¹ (1.名大工)

キーワード：

強誘電体

メモリスタは脳型コンピュータに適用可能な素子として期待されている。我々は、メモリスタを作製するうえで、過去の履歴に基づいた抵抗変調が可能な強誘電体トンネル接合素子(FTJ)に注目した。過去、強誘電層にBaTiO₃ を用いたFTJが大きなON/OFF比を示すと報告されており、我々は強誘電層に(Ba,Sr)TiO₃ を用いることで、より低電圧で動作するメモリスタができると考え、作製と特性評価を行った。