[17p-B3-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[17p-B3-7] (100)/(001)配向正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における圧電応答の周波数依存性

〇(D)中畑 美紀¹、岡本 一輝¹、石濱 圭佑²、清水 荘雄³、小金澤 智之⁴、Rosantha Kumara⁴、仲谷 友孝⁴、池田 理⁴、坂田 修身⁴、山田 智明^5,6、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.東大、3.NIMS、4.JASRI、5.名古屋大、6.東工大MDX)

キーワード：

圧電応答、正方晶PZT薄膜、ドメイン構造

Pb(Zr, Ti)O₃(PZT)膜の圧電・強誘電特性に関する研究はこれまで広く行われているが、ドメイン間の相互作用があるマルチドメイン構造を持つ系の場合には、結晶構造の詳細な解析が十分に行われていない。本研究では、(100)/(001)配向した正方晶PZTエピタキシャル膜の圧電応答を電界下X線回折により評価した。電界印加下でのドメインの面外格子定数および体積分率の変化の観察を行い、内因的・外因的圧電応答について周波数を変えて解析した。