セッション詳細

[17p-C41-1~11]次世代半導体・新デバイス製造に向けたプラズマ直接接合技術

2024年9月17日(火) 13:30 〜 19:00
C41 (ホテル日航新潟 4F)
石川 健治(名大)、 谷出 敦(SCREEN)、 平松 亮(ウェスタンデジタル)

[17p-C41-1]オープニング

〇田中 宏昌1 (1.名古屋大)
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[17p-C41-2]プラズマ表面活性化による基板接合技術の動向

〇高橋 健司1 (1.産総研)
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[17p-C41-3]表面活性化接合のメカニズム

〇須賀 唯知1,2 (1.東京大学、2.明星大学)
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[17p-C41-4]3D集積応用へ向けた接合絶縁膜の低温接合メカニズム解析

〇北川 颯人1、佐藤 亮輔1、井上 史大1 (1.横浜国大)
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[17p-C41-5]大口径基板接合に向けた高速原子ビーム源

〇秦 誠一1 (1.名大院)
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[17p-C41-6]大気圧プラズマジェットによる異種基板の直接接合

〇竹中 弘祐1、内田 儀一郎2、節原 裕一1 (1.阪大接合研、2.名城大理工)
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[17p-C41-7]パワーデバイスの接合技術

〇梁 剣波1、大野 裕2、井上 耕治2、永井 康介2、重川 直輝1 (1.大阪公大院工、2.東北大金研)
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[17p-C41-8]1インチ多結晶ダイヤモンド上 GaN HEMT

〇森山 千春1、川村 啓介2、大内 澄人2、浦谷 泰基2、大野 裕3、井上 耕治3、永井 康介3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター(株)、3.東北大金研)
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[17p-C41-9]フレキシブルエレクトロニクスのための柔軟実装技術

〇高桑 聖仁1,2 (1.東大工、2.理研)
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[17p-C41-10]表面活性化接合のフォトニクスデバイスへの展開

〇日暮 栄治1 (1.東北大)
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[17p-C41-11]パネルディスカッション

〇谷出 敦1,2、田中 宏昌2、石川 健治2、高橋 健司3、須賀 唯知4、高桑 聖仁4、秦 誠一5、竹中 弘祐6、梁 剣波7、日暮 栄治8 (1.SCREEN HD、2.名大低温プラズマ、3.産総研、4.東大院工、5.名大院工、6.阪大院工、7.大阪公立大院工、8.東北大院工)
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