[17p-C41-1~11] 次世代半導体・新デバイス製造に向けたプラズマ直接接合技術

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[17p-C41-8] 1インチ多結晶ダイヤモンド上 GaN HEMT

〇森山 千春¹、川村 啓介²、大内 澄人²、浦谷 泰基²、大野 裕³、井上 耕治³、永井 康介³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター(株)、3.東北大金研)

キーワード：

表面活性化接合法、窒化ガリウム、ダイヤモンド

GaN HEMTの放熱性向上を目的としたon-diamond 構造の実用化に際し、大面積多結晶ダイヤモンド上へのHEMT層の転送が必要である。そのような背景から、我々は表面活性化接合法を用いた転送プロセスを検討した。その結果、1インチ多結晶ダイヤモンドウエハにHEMT層を転送することに初めて成功した。当日は作製した素子の特性についても報告する。