[17p-C42-1~11] 窒化物・III/V族ナノ構造における新規機能発現

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[17p-C42-5] III-V/Si集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長(3)

〇本間 寛弥¹、杉山 弘樹¹、開 達郎¹、佐藤 具就¹、松尾 慎治¹ (1.NTT 先デ研)

キーワード：

Si上III-V族半導体成長、選択成長、MOVPE/MOCVD

一般に、直接成長によるSi上高品質III-V集積は難しい。これまでに中空構造を有するSOI（001）基板上でInPを横方向選択成長することで、大面積かつ低転位密度の薄膜集積に成功した。しかし、SiとIII-V族半導体の{111}フロントファセットを起点として生じる回転双晶が品質劣化の要因であった。今回我々は、 種結晶Siの面方位を適切に制御することで回転双晶を抑制できることを実証したので報告する。