[17p-P01-1~16] 6.4 薄膜新材料

[17p-P01-5] ドロップ蒸発法による酸化鉄透明薄膜の作製

〇河村 康希¹、市村 正也¹ (1.名工大大学院工学部)

キーワード：

半導体薄膜

酸化鉄(Ⅲ)Fe₂O₃は、2.0 ~ 2.2 eVのバンドギャップを持つn型半導体で、人体に無毒であり、構成元素のOとFeは、地球上に豊富に存在している。そこで本研究では、基板に溶液を少量滴下して下から加熱することで、安易かつ大面積の堆積が可能なドロップ蒸発法(Drop-dry deposition, DDD)により酸化鉄薄膜を堆積した。作製した薄膜に対してオージェ電子分光法など、薄膜の評価を行った。その結果、作製した薄膜は透明な酸化鉄Fe₂O₃であり、導電性が確認された。