セッション詳細

[17p-P01-1~16]6.4 薄膜新材料

2024年9月17日(火) 13:30 〜 15:30
P01 (展示ホールA)

[17p-P01-1]High Frequency MO Imaging of Bismuth-substituted Europium Iron Garnet

〇MdAbdullahAl Masud1, Wataru Asano1, Shuichiro Hashi2, Takao Nishi3, Daiki Oshima4, Takeshi Kato4, Kiejin Lee5, Masami Kawahara6, Fatima Zahra Chafi1, Masami Nishikawa1, Takayuki Ishibashi1 (1.Nagaoka Univ. Tech., 2.Tohoku-Gakuin Univ., 3.Kobe City Coll. Tech., 4.Nagoya Univ., 5.Sogang Univ., 6.Kojundo Chem.)
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[17p-P01-2]鉄酸フッ化ビスマス薄膜の光学特性

〇佐野 瑞歩1、上垣外 明子1、片山 司2、廣瀬 靖3、近松 彰1 (1.お茶大理、2.北大電子研、3.都立大理)
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[17p-P01-3]鉄酸フッ化ビスマス薄膜の組成に依存した物性と電子状態

〇上垣外 明子1、佐野 瑞歩1、重松 圭2、出村 郷志3、組頭 広志4、片山 司5、廣瀬 靖6、近松 彰1 (1.お茶大理、2.東工大フロンティア研、3.日大理工、4.東北大多元研、5.北大電子研、6.都立大理)
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[17p-P01-4]ドロップ蒸発法によるCu-Mg(OH)2透明半導体薄膜の作製

〇大倉 航貴1、市村 正也1 (1.名工大大学院工学部)
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[17p-P01-5]ドロップ蒸発法による酸化鉄透明薄膜の作製

〇河村 康希1、市村 正也1 (1.名工大大学院工学部)
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[17p-P01-6]FeドープITOエピタキシャル成長膜の作製と物性評価

〇角 卓実1、栗原 悠花1、北川 彩貴1,2,3、中村 敏浩1,3 (1.京大院人環、2.学振特別研究員、3.京大国際高等教育院)
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[17p-P01-7]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長(Ⅱ)

〇長澤 俊輝1、池田 陽登1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
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[17p-P01-8]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長 (Ⅲ)

〇池田 陽登1、長澤 俊輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
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[17p-P01-9]可視光光触媒SnS2/ g-C3N4の薄膜ヘテロ接合形成による光エネルギー効率向上に向けた研究

〇森 耀平1、バスカー マラティ1、ハリッシュ サンダーナクリッシュナン2、ナバニーザン マニ2、中村 篤志1 (1.静岡大院、2.SRM Inst)
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[17p-P01-10]高結晶性BaH2薄膜の合成に適したラジカル水素供給条件の探索

〇多田 希1、市岡 俊樹1、福士 英里香1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
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[17p-P01-11]BaH2薄膜のヒドリド伝導率におけるLaドープの影響調査

〇春日井 若菜1、多田 希1、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工)
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[17p-P01-12]A15 構造を持つタングステンタンタル(W-Ta)及び タングステンレニウム(W-Re)薄膜の形成

〇安田 雄一1、Lee Heun Tae1 (1.阪大工)
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[17p-P01-13]反射率測定を用いた磁性ガーネット薄膜作製プロセスの解析

〇中澤 俊1、神郡 啓吾1、早野 凌介1、張 健1、チャフィ ファティマ ザーハラ1、西川 雅美1、河原 正美2、石橋 隆幸1 (1.長岡技大、2.高純度化学)
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[17p-P01-14]光MOD法によるCu2O光電極へのSnO2複合化

〇(M1)高橋 武揚1、西川 雅美1、石橋 隆幸1、中島 智彦2、土屋 哲男2 (1.長岡技大工、2.産総研)
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[17p-P01-15]ウェアラブル超音波デバイスの作製に向けた50Ba(Zr0.2, Ti0.8)O3-50(Ba0.7, Ca0.3)TiO3エピタキシャル薄膜のフレキシブル化

〇西川 直希1、Sharad Mane2、田中 秀和2、西川 博昭3 (1.近畿大院生物理工、2.阪大産研、3.近畿大生物理工)
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[17p-P01-16]Sr3Al2O6 (111)上に堆積したZnOヘテロエピタキシャル薄膜の転写手法

〇小田 裕也1、服部 梓2、田中 秀和2、西川 博昭3 (1.近畿大院生物理工、2.阪大産研、3.近畿大生物理工)
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