[17p-P01-1~16] 6.4 薄膜新材料

[17p-P01-6] FeドープITOエピタキシャル成長膜の作製と物性評価

〇角 卓実¹、栗原 悠花¹、北川 彩貴^1,2,3、中村 敏浩^1,3 (1.京大院人環、2.学振特別研究員、3.京大国際高等教育院)

キーワード：

透明導電膜、希薄磁性半導体、エピタキシャル成長膜

強磁性透明導電膜（キャリア密度が高い希薄磁性半導体薄膜）としてFeドープ酸化インジウムスズ(ITO)のエピタキシャル成長膜をRFマグネトロンスパッタ法により作製し、その電気・光学・磁気特性を調べた。その結果、得られたFeドープITOエピタキシャル成長膜は、透明導電膜としての要件を満たす高い電気伝導度と透明性に加えて、室温強磁性を示すことが確認された。