講演情報
[17p-P01-8]UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN2層の成長 (Ⅲ)
〇池田 陽登1、長澤 俊輝1、吉田 圭祐1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
キーワード：
酸化亜鉛、スッパタリング、薄膜
我々はこれまで，スパッタリング装置を用いて，ZnSnN2層の成長を行ってきた．前回，ZnSnN2との格子不整合率が比較的低いZnOテンプレート上へZnSnN2層を成長し，その検討を行った．その結果，結晶方位関係を保ってエピタキシャル成長をしていることが解った．そこで今回は，表面形態の異なるZnOテンプレート上にZnSnN2層の成長を行い，得られた結晶性等について検討を行ったので報告する．
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