[17p-P06-1~3] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-P06-2] 半導体高密度実装向けAu粒子焼結バンプの特性にAu粒子径が与える影響

〇中村 紀章¹、牧田 勇一¹、藤野 晶仁¹、小川 晃平¹、小泉 輝明¹、村井 博¹、井上 謙一¹、岡田 洋平²、白鳥 陽紀²、神谷 秀博² (1.田中貴金属工業、2.東京農工大)

キーワード：

Au、バンプ、接合

半導体高密度実装向けの接合材として、サブミクロンサイズのAu粒子からなるポーラス構造のAu粒子焼結バンプを提案している。Au粒子焼結バンプは200℃での接合が可能で、縦方向の圧縮による変形能を備えつつ、横方向への広がりが少ないという特徴を持つ。今回、Au粒子焼結バンプの特性と、Au粒子の粒子径が焼結体の特性およびその形成工程に与える影響を調べたので報告する。