セッション詳細
[17p-P06-1]GeSiSn/GeSnヘテロ構造を用いたp型HEMTの構造設計
〇(M1)鳥本 昇汰1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[17p-P06-2]半導体高密度実装向けAu粒子焼結バンプの特性にAu粒子径が与える影響
〇中村 紀章1、牧田 勇一1、藤野 晶仁1、小川 晃平1、小泉 輝明1、村井 博1、井上 謙一1、岡田 洋平2、白鳥 陽紀2、神谷 秀博2 (1.田中貴金属工業、2.東京農工大)
[17p-P06-3]針接触および接合型Ge ショットキーバリアダイオードの室温以上におけるI-V特性の温度依存性
〇安藤 陸1、須田 順子1、前田 就彦1 (1.東京工科大工)