[18a-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[18a-A22-10] Mist-CVD法を用いたIn-Sn-Zn-O薄膜の堆積とTFT特性

〇堀口 史生¹、福田 翔一¹、江波戸 慶吾¹、清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：

Mist-CVD、In-Sn-Zn-O

半導体デバイス作製においてコスト削減は大きな課題である。薄膜作製プロセスの中でもMist-CVDはスパッタリングやプラズマCVD等に比べて安全かつ低コスト・低環境負荷といった利点がある。これはMist-CVDが霧状にした溶液を大気中で反応させ、薄膜を形成させる方法であり、真空を必要としないプロセスであることが理由である。今回は、TFT作製に適したITZO作製条件と原子状酸素処理を用いた膜質改善が可能な酸素化条件を検討した結果を報告する。