セッション詳細
[18a-A22-1~13]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2024年9月18日(水) 9:00 〜 12:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
髙橋 崇典(奈良先端)
[18a-A22-1]耐食性・導電性酸化物の燃料電池セパレータおよび水素生成技術への応用
〇服部 太政1、田中 孝2、松尾 浩一3、小田 祐司3、荒木 努1、金子 健太郎4 (1.立命館大理工、2.アイテック(株)、3.岩崎電気(株)、4.立命館大半導体応用研究センター)
[18a-A22-4]反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜の成長機序及び構造制御
〇北見 尚久1,2、パラニ ラジャセカラン2、山本 哲也2、牧野 久雄2 (1.住友重機械、2.高知工科大総研)
[18a-A22-5]膜厚30nm以下のGa添加ZnO超薄膜の構造と電気特性効果
〇(PC)Palani Rajasekaran1、北見 尚久2,1、小林 信太郎3、稲葉 克彦3、牧野 久雄1、山本 哲也1 (1.高知工科大総研、2.住友重機械(株)、3.(株)リガク)
[18a-A22-6]Ga 添加酸化亜鉛薄膜における高キャリア密度におけるキャリア輸送の上限値
〇山本 哲也1、北見 尚久1,2、パラニ ラジャセカラン1、牧野 久雄1 (1.高知工科大学総研、2.住友重機械工業(株))
[18a-A22-8]In2O3成膜における副生成物の表面吸着性に関する理論的な評価
〇嶋田 章吾1、長橋 知也1、芳本 祐樹1、柄澤 元1 (1.株式会社KOKUSAI ELECTRIC)
[18a-A22-13]メサ加工SOI基板上へのクラックフリー厚膜Er添加CeO2の成長
〇稲葉 智宏1、徐 学俊1、俵 毅彦2、尾身 博雄3、山本 秀樹1、眞田 治樹1 (1.NTT物性研、2.日大、3.大和大)