セッション詳細

[18a-A22-1~13]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年9月18日(水) 9:00 〜 12:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
髙橋 崇典(奈良先端)

[18a-A22-1]耐食性・導電性酸化物の燃料電池セパレータおよび水素生成技術への応用

〇服部 太政1、田中 孝2、松尾 浩一3、小田 祐司3、荒木 努1、金子 健太郎4 (1.立命館大理工、2.アイテック(株)、3.岩崎電気(株)、4.立命館大半導体応用研究センター)
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[18a-A22-2]固体イオン交換を活用した酸化物固溶体の合成:(Na,Ag)GaO2の例

〇鈴木 一誓1、喜多 正雄2、小俣 孝久1 (1.東北大多元研、2.富山高専)
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[18a-A22-3]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いた酸化スズの成膜

〇齋藤 祐太1、太田 貴之1 (1.名城大理工)
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[18a-A22-4]反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜の成長機序及び構造制御

〇北見 尚久1,2、パラニ ラジャセカラン2、山本 哲也2、牧野 久雄2 (1.住友重機械、2.高知工科大総研)
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[18a-A22-5]膜厚30nm以下のGa添加ZnO超薄膜の構造と電気特性効果

〇(PC)Palani Rajasekaran1、北見 尚久2,1、小林 信太郎3、稲葉 克彦3、牧野 久雄1、山本 哲也1 (1.高知工科大総研、2.住友重機械(株)、3.(株)リガク)
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[18a-A22-6]Ga 添加酸化亜鉛薄膜における高キャリア密度におけるキャリア輸送の上限値

〇山本 哲也1、北見 尚久1,2、パラニ ラジャセカラン1、牧野 久雄1 (1.高知工科大学総研、2.住友重機械工業(株))
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[18a-A22-7]HドーピングによるIn2O3系透明導電膜の弾性率低下

〇木菱 完太1、山寺 真理1、小林 翔1、鷹野 一朗1、相川 慎也1 (1.工学院大)
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[18a-A22-8]In2O3成膜における副生成物の表面吸着性に関する理論的な評価

〇嶋田 章吾1、長橋 知也1、芳本 祐樹1、柄澤 元1 (1.株式会社KOKUSAI ELECTRIC)
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[18a-A22-9]酸素雰囲気下での室温 UV 照射による IBO TFT のヒステリシス改善

〇山寺 真理1、木菱 完太1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
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[18a-A22-10]Mist-CVD法を用いたIn-Sn-Zn-O薄膜の堆積とTFT特性

〇堀口 史生1、福田 翔一1、江波戸 慶吾1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
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[18a-A22-11]CO2センサー応用に向けた溶液プロセスLaドープIn2O3TFTのバイアスストレス評価

〇小林 亮太1、曹 博聞1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
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[18a-A22-12]Cu/CuO混合ターゲットを用いたDCスパッタによるCu2O膜の光学的及び電気的特性の評価

〇関口 晨雄1、宮島 晋介1 (1.東工大)
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[18a-A22-13]メサ加工SOI基板上へのクラックフリー厚膜Er添加CeO2の成長

〇稲葉 智宏1、徐 学俊1、俵 毅彦2、尾身 博雄3、山本 秀樹1、眞田 治樹1 (1.NTT物性研、2.日大、3.大和大)
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