[18a-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[18a-A22-4] 反応性プラズマ蒸着法によるGa添加ZnO薄膜の成長機序及び構造制御

〇北見 尚久^1,2、パラニ ラジャセカラン²、山本 哲也²、牧野 久雄² (1.住友重機械、2.高知工科大総研)

キーワード：

透明導電膜、酸化亜鉛、イオンプレーティング

我々は、反応性プラズマ蒸着 (RPD) 装置の製造・販売を行っている。RPD を用いることで、低温のアモルファス基板上に高品質の透明導電膜を成膜出来る。我々は、基板温度 200℃ のガラス基板上に成膜したGa添加酸化亜鉛 (GZO) 膜の成長機序および膜特性と成膜時の飛来粒子フラックスの関係を調査した。成膜時の飛来粒子を基板高さにて、質量・エネルギー分析器 (Hiden, EQP300)、ラングミュアプローブ、隔膜式圧力計にて定量測定した。本講演では、中性 Zn、Zn⁺、中性 O、O⁺、O₂⁺ などの入射フラックスが GZO 膜の成長、電気的特性、柱状結晶粒間のアライメントに与える影響について報告する。