[18a-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30

[18a-A22-6] Ga 添加酸化亜鉛薄膜における高キャリア密度におけるキャリア輸送の上限値

〇山本 哲也¹、北見 尚久^1,2、パラニ ラジャセカラン¹、牧野 久雄¹ (1.高知工科大学総研、2.住友重機械工業(株))

キーワード：

透明導電膜、酸化亜鉛、キャリア輸送

我々は酸化亜鉛及び酸化インジウム系を基材とする透明導電膜の応用展開を図り, 実装などの成果を公開してきた. ガラス基板上 ZnO 多結晶薄膜は膜厚10 nm前後の薄膜でも結晶子内構造において基板表面に垂直となる c軸配向が観察され, 結晶子間では柱状配向の秩序構造となる.キャリア密度1.0×〜1.1×10²¹ cm^-3を維持しながら膜厚を増大させるとホール移動度は膜厚に比例する傾向で増大する. 本講演ではホール移動度の上限値について議論する.