[18a-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:45 〜 11:00

[18a-A22-7] HドーピングによるIn2O3系透明導電膜の弾性率低下

〇木菱 完太¹、山寺 真理¹、小林 翔¹、鷹野 一朗¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

水素ドーピング、膜密度、弾性率