[18a-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[18a-A22-8] In₂O₃成膜における副生成物の表面吸着性に関する理論的な評価

〇嶋田 章吾¹、長橋 知也¹、芳本 祐樹¹、柄澤 元¹ (1.株式会社KOKUSAI ELECTRIC)

キーワード：

第一原理計算、酸化インジウム、吸着性

本研究では、In₂O₃成膜におけるALD法での炭素不純物混入のメカニズム解明のため、様々なIn前駆体を対象に第一原理計算を用いた理論的な評価を実施した。In前駆体の化学吸着から生じる副生成物の吸着エネルギーを計算した結果、シクロペンタジエニル基由来の化合物は高い表面吸着性を示すことから炭素不純物の増加が示唆された。本発表では、温度依存性評価やその他副生成物吸着の影響についても報告する。