[18a-A23-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[18a-A23-1] Si MOSFETのSS値の極低温領域における温度依存性の定量的理解

姜 旼秀¹、トープラサートポン カシディット¹、岡 博史²、森 貴洋²、竹中 充¹、〇高木 信一¹ (1.東大院・工、2.産総研)

キーワード：

MOSFET

本研究では、基板濃度の異なるSi nMOSFETとpMOSFETのSS値の温度依存性を系統的に評価した。Si pMOSFETでは温度の低下と共にSS値が増大することを実験的に見出した。nMOSFETとの温度依存性の違いは、tail stateの低エネルギー領域をimmobile state、高エネルギー領域をmobile stateとするDOSモデルにより、定量的に再現できることが明らかとなった。