講演情報
[18a-A23-10]MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (13) -準位深さの影響-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
MOS界面欠陥、両性準位、捕獲断面積
本講演では両性準位を有するMOS単一界面欠陥のAcceptorlike準位やDonorlike準位における伝導帯電子の捕獲時定数や捕獲電子の再結合時定数に及ぼす両準位のエネルギー深さの影響を検討し，捕獲断面積や再結合過程に関する知見を得る．
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