[18a-A23-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:15 〜 9:30

[18a-A23-2] 低温下おける200 nm SOI MOSFETの負基板バイアス依存性

〇李 龍聖¹、森 貴之¹、八田 浩輔¹、小林 亮介¹、岡 博史²、森 貴洋²、井田 次郎¹ (1.金工大、2.産総研)

キーワード：

極低温CMOS、SOI MOSFET、基板バイアス

量子コンピュータの量子ビット数を増やすためには配線数の増大及びそこからの熱流入が課題であり, 解決のためにCryo-CMOS技術の研究開発が行われている. MOSFETの中でも, SOI技術は基板バイアス(V_sub)によってしきい値電圧(V_th)を制御することが可能であり, 低消費電力Cryo-CMOSの実現が期待できる. 本稿ではV_thを高くする方向である負基板バイアスの温度依存性において,低温と室温では異なる振舞いを示すことが判明したので報告する.