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[18a-A23-3]極低温下でのホットキャリア注入に起因した巨大なしきい値電圧変動の理解

〇(D)下方 駿佑1,2、岡 博史1、加藤 公彦1、稲葉 工1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、森 貴洋1 (1.産総研、2.慶大物情)
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キーワード:

クライオCMOS、ゲートスタック、ホットキャリア注入

MOSFET極低温動作では、バンド端準位が様々な特性に影響することが最近の研究で明らかにされてきている。一方信頼性に関する議論は始まったばかりであり、これまでにはホットキャリアによる特性劣化が低温で増大することが報告されているが、その機構は明らかではない。そこで本研究ではホットキャリア注入後のVth変動の温度依存性を評価し、また重水素アニールによる劣化抑制効果を検証することで機構の理解を試みた。

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