[18a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:45 〜 10:00

[18a-B2-3] SiO₂空洞内でのInP/InGaAsラテラルHBT作製に向けた結晶成長

〇小林 良碧¹、渡辺 翔太¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工)

キーワード：

MOVPE

SiO₂空洞内にラテラルHBTを形成することを目標として、p-InP基板上にSiO₂空洞を持つ構造を作製し、InPのMOVPE結晶成長を行った。InPに接した空洞の穴径が大きい場合完全に埋まらないと横方向の成長まで進行していないこと、空洞高さが低いと成長起点への供給量が減ること、横方向空洞長さが長いとやはり成長起点へ供給量が減ることが確認された。