2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-B2-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2024年9月18日(水) 9:15 〜 11:30
B2 (展示ホールB)
尾崎 信彦(和歌山大)、 冨岡 克広(北大)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[18a-B2-1]MBE法によるInAsナノワイヤの異方的成長

〇(D)小松 颯1、赤堀 誠志1 (1.北陸先端大ナノセ)
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9:30 〜 9:45

[18a-B2-2]熱輻射発電デバイス応用に向けたInAsSbの結晶成長

〇(M1)大田 遵平1、久野 倭1、中村 徹哉2、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大、2.宇宙航空研究開発機構)
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9:45 〜 10:00

[18a-B2-3]SiO2空洞内でのInP/InGaAsラテラルHBT作製に向けた結晶成長

〇小林 良碧1、渡辺 翔太1、宮本 恭幸1 (1.東工大工)
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10:00 〜 10:15

[18a-B2-4]サブモノレイヤー積層法における、下地層変調による量子ディスクの作製

〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
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10:30 〜 10:45

[18a-B2-5]MIC法を用いた多層InAs/GaAs量子ドットにおける歪みのその場観察

〇角田 雅弘1、權 晋寛1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
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10:45 〜 11:00

[18a-B2-6]InP 基板上低インジウム InAlGaAs キャップを有する InAs 量子ドットの発光波長調整

〇權 晋寛1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
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11:00 〜 11:15

[18a-B2-7]InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みを利用した差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生

〇鈴木 崇斗1、小島 磨1、海津 利行2,3、和田 修3、喜多 隆3 (1.千葉工大工、2.京大ナノハブ、3.神戸大)
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11:15 〜 11:30

[18a-B2-8]AlGaAsバリアに挟まれたInGaAs量子ドット-希薄窒化GaNAsトンネル結合構造の円偏光発光特性

〇野村 駿介1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
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