[18a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:45 〜 11:00

[18a-B2-6] InP 基板上低インジウム InAlGaAs キャップを有する InAs 量子ドットの発光波長調整

〇權 晋寛¹、角田 雅弘¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子)

キーワード：

量子ドット、分子線エピタキシー

InAs/GaAs 量子ドットにおける歪緩和層(strain reducing layer: SRL)は、高い光学的品質を維持 しながら発光波長を長波長化する手法として広く用いられている。一方、InP 格子整合 InAlGaAs マトリックス中の InAs QD の発光波長は長距離通信用 C バンド帯よりも長いため、波長 制御が必要である。この課題を解決するためにインジウムフラッシュ法などが導入されているが、 光学品質を維持しながら波長制御するのは困難であった。本研究では、InP 基板上に成長した InAs QD に低インジウム組成 InAlGaAs 歪緩和層を適用し、発光波長の制御に成功したので報告する。