[18a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:00 〜 11:15

[18a-B2-7] InAs量子ドット成長に起因する格子不整合歪みを利用した差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生

〇鈴木 崇斗¹、小島 磨¹、海津 利行^2,3、和田 修³、喜多 隆³ (1.千葉工大工、2.京大ナノハブ、3.神戸大)

キーワード：

テラヘルツ電磁波、差周波混合、InAs量子ドット

InAs量子ドット上に作製した低温成長GaAs薄膜を対象として、格子不整合歪みから起こる2次の非線形光学効果を利用した波長変換法である、差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生に関する研究を行ったので、その結果について報告する。