2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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11:15 〜 11:30

[18a-B2-8]AlGaAsバリアに挟まれたInGaAs量子ドット-希薄窒化GaNAsトンネル結合構造の円偏光発光特性

〇野村 駿介1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
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キーワード：

半導体量子ドット、フォトルミネッセンス、GaNAs

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