[18a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30

[18a-B2-8] AlGaAsバリアに挟まれたInGaAs量子ドット-希薄窒化GaNAsトンネル結合構造の円偏光発光特性

〇野村 駿介¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

半導体量子ドット、フォトルミネッセンス、GaNAs