[18a-B3-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[18a-B3-1] c 軸垂直および傾斜 ScAlN の大面積成膜に向けた矩形カソードスパッタリング

〇(M2)浴田 航平^1,2、島野 耀康^1,2、柳谷 隆彦^1,2 (1.早大先進理工、2.材料技術研究所)

キーワード：

ScAlN、スパッタ、AOGs

ScAlNはBAWフィルタの圧電薄膜として用いられているが、Sc濃度が40%を超える高濃度Sc_0.4Al_0.6N薄膜の報告は少ない。これは、高濃度のScをドーピングした際に生じる異常粒結晶成長(AOGs)が主な原因である。これまで我々のグループでは、AOGsレスのSc濃度40%以上の Sc_0.4Al_0.6N 薄膜の成長に成功している。そこで本研究では、Sc_0.4Al_0.6N薄膜の大面積化の足がかりとして、RFマグネトロンスパッタリング法のカソードについて円形と矩形のものを比較した。