セッション詳細

[18a-B3-1~6]6.1 強誘電体薄膜

2024年9月18日(水) 10:30 〜 12:00
B3 (展示ホールB)
吉村 武(阪公大)

[18a-B3-1]c 軸垂直および傾斜 ScAlN の大面積成膜に向けた矩形カソードスパッタリング

〇(M2)浴田 航平1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材料技術研究所)
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[18a-B3-2]Zn-Ti-N圧電薄膜の作製とAl添加効果

〇上原 雅人1、井上 ゆか梨2、平田 研二1、寺田 朋広2、木村 純一2、山田 浩志1、秋山 守人1 (1.産総研、2.TDK株式会社)
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[18a-B3-3](Ce,Mn)置換ZnO薄膜の低温エピタキシャル成長と電気的特性評価

〇阪口 萌生1、大磯 裕也1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
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[18a-B3-4]電極抵抗低減に向けて上下電極にエピタキシャル金属ブラッグ反射器を採用したSMR

〇(M1)富岡 美咲1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大理工、2.材料技術研究所)
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[18a-B3-5]FeRAM向け (Al,Sc)N膜における強誘電特性の膜厚依存性評価

〇道古 宗俊1、松井 尚子1、入澤 寿和1、恒川 孝二1、Nana Sun2、中村 美子2、岡本 一輝2、舟窪 浩2 (1.キヤノンアネルバ、2.東工大)
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[18a-B3-6]スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製Ⅱ

〇山田 洋人1、安岡 功樹1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大工)
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