[18a-B3-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

11:30 〜 11:45

[18a-B3-5] FeRAM向け (Al,Sc)N膜における強誘電特性の膜厚依存性評価

〇道古 宗俊¹、松井 尚子¹、入澤 寿和¹、恒川 孝二¹、Nana Sun²、中村 美子²、岡本 一輝²、舟窪 浩² (1.キヤノンアネルバ、2.東工大)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN、FeRAM

優れた強誘電特性を示す (Al,Sc)N膜は、強誘電体メモリ (FeRAM) 向け材料として研究されている。 (Al,Sc)N膜をFeRAMへ適用するには、素子全体の薄膜化が必須である。これまで我々は、膜厚5 nm以下のPt下部電極を用いた (Al,Sc)Nにおいて優れた強誘電特性が得られることを報告した。今回、 (Al,Sc)N膜の薄膜化に向けて結晶性と強誘電特性に対する膜厚依存性評価を行った。