セッション詳細

[18a-B5-1~10]11.5 接合,回路作製プロセスおよびディジタル応用

2024年9月18日(水) 9:00 〜 11:45
B5 (展示ホールB)
山梨 裕希(横国大)、 竹内 尚輝(産総研)

[18a-B5-1]高臨界電流密度プロセスを用いた単一磁束量子回路に基づく同時計数回路

〇宮嶋 茂之1、寺井 弘高1、藪野 正裕1、三木 茂人1,2 (1.情通機構、2.神戸大)
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[18a-B5-2]インパルス駆動型メモリにおけるセル選択用パルスの光速伝搬実証

〇佐藤 太一1、李 峰1、田中 雅光1、藤巻 朗1 (1.名古屋大学)
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[18a-B5-3]確率的クロスバーアレイを構築するための超伝導シナプスの動作実証

〇羅 文輝1、竹内 尚輝2、陳 オリビア3、吉川 信行1 (1.横浜国大IAS、2.産総研G-QuAT、3.九州大学)
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[18a-B5-4]単一磁束量子多数決論理ゲートを用いたバタフライ演算回路の設計

〇瀬川 亮輔1、山梨 裕希1、吉川 信行1 (1.横国大院理工)
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[18a-B5-5]単一磁束量子回路の放射線耐性測定に向けたエラー率試験回路の設計

〇刑部 一斗1、山梨 裕希1、吉川 信行1 (1.横国大院理工)
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[18a-B5-6]分子線エピタキシー法による単結晶Nb薄膜の作製と量子デバイス応用

〇辻本 学1、浦出 芳郎1、藤田 裕一1、知名 史博1、野崎 友大1、野崎 隆行1、猪股 邦宏1、水林 亘1 (1.産総研)
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[18a-B5-7]Nbベースジョセフソンパラメトリックオシレーターの特性評価

〇沈 泓翔1、吉川 信行1,2 (1.横浜国立大学、2.横国大院理工)
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[18a-B5-8]断熱量子磁束パラメトロンを用いた位相判別回路の低臨界電流密度Josephsonプロセスにおける設計

〇永松 義瑛1、山梨 裕希1,2、吉川 信行1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IAS)
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[18a-B5-9]π接合を用いた多段接続磁束伝送回路の評価

〇堀 裕貴1、佐藤 太一1、李 峰1、田中 雅光1、藤巻 朗1 (1.名大院工)
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[18a-B5-10]0-0-π SQUIDの周回電流の向きが半磁束量子論理ゲートに及ぼす影響

〇出口 創万1、佐藤 太一1、堀 裕貴1、西崎 海1、李 峰1、田中 雅光1、藤巻 朗1 (1.名大院工)
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