セッション詳細
[18a-C301-1~9]CS.11 9.4 熱電変換、22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」のコードシェア
2024年9月18日(水) 9:00 〜 11:30
C301 (ホテル日航新潟 30F)
中村 芳明(阪大)、 大西 正人(東大)
[18a-C301-1]SiGe界面と短周期フォノニック結晶ナノ構造によるSi薄膜のσ/κ比の向上
〇柳澤 亮人1、小田島 綾華1,2、井上 貴裕2、澤野 憲太郎1,2、野村 政宏1 (1.東大生研、2.東京都市大)
[18a-C301-2]Stranski-Krastanov成長を用いて形成したエピタキシャルSi系ナノドット含有Ge薄膜の熱電特性
〇柴垣 新1、平田 悠海1、石部 貴史1,2、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI)
[18a-C301-3]Investigation of Heat Flux Sensitivity of Silicon-Large Scale Integrated Thermoelectric Device
〇(DC)Md MehdeeHasan Mahfuz1, Taisei Mito1, Tatsuya Hayashi1, Takeo Matsuki1, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ.)
[18a-C301-9]Investigation of p-type thermoelectric properties for Mn doped β-FeSi2
〇(M2)Umar Farooq1, Sopheap Sam2, Rio Oshita1, Hiroshi Nakatsugawa1 (1.Yokohama Nat Univ, 2.Nat Inst for Mat Sci)