セッション詳細

[18a-C41-1~7]15.6 IV族系化合物(SiC)

2024年9月18日(水) 9:00 〜 10:45
C41 (ホテル日航新潟 4F)
林 将平(東レリサーチセンター)

[18a-C41-1]水素またはフッ素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位のUV照射による積層欠陥拡張比較

〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)
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[18a-C41-2]高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析

〇原田 俊太1、坂根 仁2、加藤 正史3 (1.名古屋大、2.住重アテックス、3.名工大)
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[18a-C41-3]単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上

〇加藤 正史1、Rho Kongshik1、藤田 隼1 (1.名工大)
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[18a-C41-4]SiC昇華法における成長速度と原料内温度分布の関係

〇西澤 伸一1、齋藤 渉1 (1.九大応力研)
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[18a-C41-5]蛍光4H-SiCの成長レートと不純物濃度に関する検討

〇坂 卓磨1、秋吉 翔太1、水野 大誠1、高橋 直暉1、赤澤 絵里2、鈴木 敦志2、Lu Weifang3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボ株、3.厦門大)
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[18a-C41-6]シングルイベント効果の理解を目指した窓形成SiCダイオードへのフェムト秒レーザー照射

〇田岡 知樹1、牧野 高紘2、富田 卓朗1 (1.徳島大院創成、2.量研機構)
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[18a-C41-7]高酸素圧熱酸化によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御

〇(M2)大山 倫句1、土方 泰斗1 (1.埼玉大理工研)
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