セッション詳細
[18a-C41-1~7]15.6 IV族系化合物(SiC)
2024年9月18日(水) 9:00 〜 10:45
C41 (ホテル日航新潟 4F)
林 将平(東レリサーチセンター)
[18a-C41-1]水素またはフッ素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位のUV照射による積層欠陥拡張比較
〇西尾 譲司1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)
[18a-C41-2]高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析
〇原田 俊太1、坂根 仁2、加藤 正史3 (1.名古屋大、2.住重アテックス、3.名工大)
[18a-C41-5]蛍光4H-SiCの成長レートと不純物濃度に関する検討
〇坂 卓磨1、秋吉 翔太1、水野 大誠1、高橋 直暉1、赤澤 絵里2、鈴木 敦志2、Lu Weifang3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボ株、3.厦門大)
[18a-C41-6]シングルイベント効果の理解を目指した窓形成SiCダイオードへのフェムト秒レーザー照射
〇田岡 知樹1、牧野 高紘2、富田 卓朗1 (1.徳島大院創成、2.量研機構)