[18a-C41-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

9:15 〜 9:30

[18a-C41-2] 高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析

〇原田 俊太¹、坂根 仁²、加藤 正史³ (1.名古屋大、2.住重アテックス、3.名工大)

キーワード：

バイポーラ劣化、SiC、転位

SiCエピタキシャル層における基底面転位（BPD）からの積層欠陥（SF）拡張は、高電圧SiCパワーデバイスの普及を妨げる要因の一つである。本研究では、ヘリウムイオンの高エネルギー注入がUV光照射による積層欠陥拡張挙動に与える影響を調査し、その結果、高エネルギーイオン注入により導入される点欠陥が積層欠陥拡張抑制に寄与していることが明らかとなった。