2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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9:30 〜 9:45

[18a-C41-3]単一ドメインエピタキシャル成長による3C-SiC光陰極性能向上

〇加藤 正史1、Rho Kongshik1、藤田 隼1 (1.名工大)

キーワード：

SiC、光陰極、エピタキシャル層

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