2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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9:45 〜 10:00

[18a-C41-4]SiC昇華法における成長速度と原料内温度分布の関係

〇西澤 伸一1、齋藤 渉1 (1.九大応力研)
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キーワード：

SiC、基板、成長速度

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