[18a-C41-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[18a-C41-7] 高酸素圧熱酸化によるSiO₂/SiC界面単一光子源の偏光制御

〇(M2)大山 倫句¹、土方 泰斗¹ (1.埼玉大理工研)

キーワード：

SiC、単一光子源、偏光

SiC 基板を熱酸化すると 酸化膜との界面近傍には高輝度な単一光子源（表面SPS）が発生することが報告されているが，詳細な欠陥構造は明らかでない．また，表面SPSの偏光特性の過去の調査では，いずれも直線偏光を示すとともに，4H-SiC 基板基底方位に準じた 3 つの配向があることが報告された．本報告では，SiC 基板熱酸化時の酸素圧を 1.0 atm，2.0 atm としたサンプルそれぞれの偏光特性を調査した．その結果，高圧酸化(2.0 atm)の場合ある一つの結晶軸に配向した直線偏光に限定されやすいことが分かった．